SJ 50033.51-1994 半导体分立器件CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
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ID： |
65F4620209214F77AB59714C057E6C7E |
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文件大小(MB)： |
0.56 |
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13 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033.51-94,半导体分立器件CS0558型珅化镇,微波双栅场效应晶体管详细规范,Semiconductor discreted devices Detail specification,for type CS0558 GaAs microwave dual gate FET,1994-09-30发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业?军用标准,半导体分立器件,CS0558型珅化镇微波双栅场效应晶体管详细规范,sj 50033- 51-94,Semiconductor discreted devices,Detail specification for type CS0558 GaAs microwave dual gate FET,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS0558型群化镣微波双栅场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类?,1.311 器件的等级,按GJB 33《半导体分立镭件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级,和超特军级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586 —84场效应晶体管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定.,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构应按GJB 33和本规范的规定,外形尺寸应符合图1的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料为可伐合金,引线表面镀金,3.2.2 器件结构,采用珅化緣N型沟道肖特基势垒双栅结构.,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布 1994-12-01实施,-1 -,SJ 50033.51-94,图1外形图,3.3最大额定值和主要电特性,3.3.I最大额定值,下载,SJ 50033- 51-94,(W),Ta -25C,Vds,(V),Vgido,(V),VgiSO,(V),VgjDO,(V),Vgzso,(V),7d,(mA),ら或ア/,(t),0.70 12 -12 -12 T2 -12 A)SS 一 65 .屮 175C,注,D当7?25じ时,授4. 67mW/C的速率线性降额.,3.3.2主要电特性(77=25ヒ),や、舞数,\\,型号、,■ /tea,(mA),.V。倒就,(V),如】 ’,CmS),Po,(dBm),G,(dB),Vm=3V, Vgls^OV,VGi3 = 0V,Vds = 3V,17n6= 3mA,炉Gis = 0V,ルエ3V,匕瀬=L 5 V,匕｝居=。,一iv,条件见A4分组,CS0558A 8〇.150 一2 .一5 >20 >20 >7,CS0558B 8〇.150 -2 .2〇>20 29,CSO558C 8〇.150 —2----- 5 >20 >20 >6,CSO558D 80750 -2----- 5 >20 >20 >8,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定.,3.5 标恵,器件的标志应符合GJB 33的规定,4廉量保证规定,4.1 抽样和检験,抽样和检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.3 筛选(仅‘对GT、GCT级),筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定进行,下面测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件应予剔除,箭 选,(见 GJB33.表 2),测 试.,3热中击试验条件C, -65C.+ 155C,循环20次,6髙温反偏Ta =150rC,r=48h,VG1S3 = - 6V,買…0V .,7中间电参数gxal 和 Vg]SMJ),8功率老化见 4. 3.1,9最后渕试按本规范表1的A2分组,4g.V初始值的士25% 1,41%皿＞＜初始值的士30%,__ q0 _,SJ 50033.51-94,4.3.1 功率老化条件,功率老化条件如下I,Tc=70±5C；R0t=Q. 5W(Vre=8VjGlif0G2 類路;,4.4 质量一致性检睑,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验 ’,■ A组检验应按GJB 33和本规范表1中的规定进行丒,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和及本规范表2各试验分组规定的条件进行.最后测试和变化量要,求应符合本规范表4中适用步骤的规定?,4.4.3 C组检验,C餌检验应按GJB 33及本规范表3各试验分组的规定条件进行.最活测试和变化量要求,应符合本规范表4中适用步骤的规定,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表中规定的方法和下列规定进行,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3. 3. 2. 1条的规定,表1 A组检验,检验或试验,方法,GB 4586,条件LTPD 符号,极限值,单位,最小值最大值,A1分组,外观及机械检验GJB 128,5,2971,A2分组,栅一源截止电压5 Vds = 3V,7iM.3mA,VG2S-OV,5,匕;図必亠2 一 5 V,柵ー獴短路下的漏极3 ジザ3V Ids& 80 150 mA',电流VGia=0V,漏一源短路下的ー棚截2 VtB=OV Anssi — 0.1 mA,止电流VC￥3=0V,Vgjs= 18V,ー栅脖导本规范V……
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